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N40-150V SGT MOS

产品介绍
Split Gate Trench MOSFET 屏蔽栅沟槽型功率MOSFET系列产品采用电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽技术，全面提升器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷（Qg）。

产品特点
1、优异的开关特性和导通特性； 2、更好的导通电阻温度特性，显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性； 3、配合先进的封装技术，SGT MOSFET器件有助于提升系统效率和功率密度； 4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。

新产品宣告

N40-150V SGT MOS 规格书

YJB70G10A YJB110G10B YJB145G15A YJB180G10B YJB200G06A YJB200G06B YJD45G10A YJD80G06A YJG40G10A YJG53G06A YJG60G10A YJG80G06A YJG85G15A YJG90G10A YJG90G10B YJG95G06A YJG95G06B YJG130G04A YJP70G10A YJP70G10B YJP200G06B YJB70G10B

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